2023年6月1日，我院师生前往中电海康集团有限公司重点实验室参加2023 科技周公众开放活动。先后参观展厅，实验室等，在中电公司陈博士和刘博士的带领下，参观了1楼展厅，3楼fab参观走廊，5楼重点实验室展厅。中电海康的工程师一边带领师生参观，一边向师生介绍单位概况及相关科研成果、介绍芯片制作工艺、设备及流程，介绍实验室研发成果等情况。
参观结束后，师生参加了重点实验室举办的自旋电子学的科普讲座，围绕自旋电子学的发展历史进行讲解，介绍自旋电子的产业现状与未来发展前景。经过陈博士的讲解，有同学提出对关于mram 磁性随机存储器面临的发展瓶颈提出疑问。陈博士从自旋随机存储器和和传统存储器的区别作为切入点，分析了磁性随机存储器的研发和应用中切实碰见的问题。目前，自旋芯片还处于预研阶段，三星、台积电等全球半导体巨头争相布局mram有关的研究，寄希望在未来使用mram芯片取代现有存储架构。并且这类高新技术的研发对于我国的国计民生都具有着重要意义，是国家站在统筹发展高度进行的提前布局，抢先发展。即使面临很多困难，仍有众多从事这类研发的学者前仆后继展开研究。力争从跟跑到并跑，直到未来领跑自旋芯片领域，从根上避免我国再出现“卡脖子”问题。
经过这次参观，我校师生都受益匪浅。